功率管gan高导热外壳南京电子器件研究所hemt器件铜复合材料常规工艺
摘要：南京电子器件研究所最近研制成一种采用金刚行铜复合材料的离导热GaN功率管外壳，用于封装c波段60WGaNHEMT器件。新材料通过了外壳常规工艺的兼容性验证。
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《固体电子学研究与进展》（CN：32-1110/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《固体电子学研究与进展》刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEMS）、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件（OLED）和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。
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