作者：张竞 陈万军 汪志刚 魏进 张波氮化镓异质结场效应晶体管增强型resurf
摘要：提出了一种能带调制模型，通过在异质结界面处引入负离子电荷（如氟离子）调制异质结处的局部能带分布，实现了对异质结界面处的高密度2DEG的改变。基于能带调制模型，提出了一种复合调制沟道A1GaN／GaNHFET器件。通过在增强型沟道调制区和RESURF调制区分别引入不同剂量的负离子，不仅实现了增强型器件，而且可以降低尖峰电场，优化异质结电场分布，提高器件击穿电压。通过器件仿真软件对其器件工作原理进行了模拟分析，并通过实验结果表明，其器件品质因子FOM由传统器件的4．8Mw·cm-2提高到26．7Mw·cm-2。
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《固体电子学研究与进展》（CN：32-1110/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《固体电子学研究与进展》刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEMS）、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件（OLED）和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。
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