作者：温晓珂 谈熙 闵昊无片外电容低压降线性稳压器噪声电源抑制比
摘要：设计了一种能够为射频芯片提供低噪声、高PSRR、全集成LDO。采用SMIC0．18μmRF工艺实现，芯片有效面积0．11mm^2。测试结果表明：当输出电流从0跳变为20mA时，最大Ripple为100mV，稳定时间2μs当输出电流为20mA，频率到1MHz的情况下，PSRR〈-30dB；从1～100kHz的频率范围内输出电压积分噪声为21．4μVrms；在整个工作电压范围内（2．1～3．3V）输入电压调整率〈0．1％；在整个输出电流的范围内（0-20mA），负载调整率〈0．44％；LDO消耗了380μA的电流（其中Bandgap消耗了260pA的电流）。
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《固体电子学研究与进展》（CN：32-1110/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《固体电子学研究与进展》刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEMS）、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件（OLED）和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。
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