作者：马楠 邓军 牟明威 史衍丽 沈光地多量子阱红外光致荧光谱
摘要：对GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器外延材料进行了光致荧光谱（PL）测量，结合理论计算，由材料吸收峰位置得到势垒高度以及势阱基态位置，并由此推算出相应的红外探测响应波长。推算结果与器件光电流实验值的对比表明，由光致荧光谱（PL）测量结果计算得到的响应波长与实际器件的响应波长有良好的一致性。
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《固体电子学研究与进展》（CN：32-1110/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《固体电子学研究与进展》刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEMS）、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件（OLED）和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。
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