作者：郑惟彬 李拂晓 李辉 沈亚 潘晓枫 沈宏昌砷化镓膺配高电子迁移率晶体管开关模型
摘要：借助于传统的FET等效电路模型，给出了0．25μm GaAs PHEMT的开关模型，并在ICCAP和ADS软件中，完成等效电路参数的提取与优化。通过对单刀单掷（SPST）开关的仿真和测试，表明，在0．1～20GHz的频域内，其“开”态插入损耗误差、端口1和端口2的电压驻波比误差分别小于0．3dB、0．24和0．19；其“关”态隔离度误差、端口1和端口2的电压驻波比误差分别小于1．9dB、0．12和0．08。文中得到的PHEMT开关模型将有助于控制类单片集成电路的研究与开发。
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《固体电子学研究与进展》（CN：32-1110/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《固体电子学研究与进展》刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEMS）、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件（OLED）和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。
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