作者：邓婉玲 郑学仁 陈荣盛多晶硅薄膜晶体管表面势栅电容
摘要：显式地推导多晶硅薄膜晶体管（Polysilicon thin-film transistors，poly-Si TFT）表面势隐含方程的近似解，该求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率，且精确度非常高，与数值迭代结果比较，绝对误差范围只在纳伏数量级。利用求得的表面势，建立了一个poly-Si TFT栅电容模型，该电容电压模型能连续、准确地描述poly-Si TFT在线性区和饱和区的动态特性，同时该模型考虑了kink效应、沟道长度调制效应和寄生电容等。对实验数据进行拟合发现，提出的模型与实验数据符合得较好，能准确地预测poly-Si TFT的栅电容特性。
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