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GaN基HEMT电流崩塌现象相关的表面陷阱效应

作者:罗谦 杜江锋 卢盛辉 周伟 夏建新 于奇 杨...氮化镓表面态电流崩塌

摘要:采用脉冲测试方法研究了与GaN基HEMT电流崩塌相关的表面陷阱效应。对特制的无台面器件进行的实验证实了表面陷阱之间存在输运过程。数据表明,当栅应力持续时间足够长时,被充电的表面陷阱会达到某种稳态。该稳态是包含了陷阱俘获与释放过程的动态平衡态。

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固体电子学研究与进展

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