SiC半导体二维自旋磁极化子能量的磁场效应

作者：李子军; 周小方; 庄榕榕; 张军华; 李旭超碳化硅自旋电子学电子自旋能自陷能landau基态能自能声子之间相互作用能磁场依赖性

摘要：在考虑声子之间相互作用和电子自旋的情况下，应用么正变换和线性组合算符法研究了电子自旋对SiC半导体弱耦合二维自旋磁极化子能量磁场效应的影响。数值计算给出了下列结果：电子自旋使自陷能分裂为二，且随磁场B增加其分裂间距增大；电子自旋能量与电子在磁场中的Landau基态能之比恒为0.23；电子自旋能量与自能之比小于电子自旋能量与自陷能之比，但非常接近，它们随B增强而近似线性增大，当B为0和10T时，它们分别为0和0.008；电子自旋能量与声子之间相互作用能量之比也随B增加而线性增大，当B为0和7.949T时，其比值分别为0和1。该结果有助于设计和研制自旋场效应晶体管，自旋发光二极管和自旋共振隧道器件等。

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