作者：任春江; 陈堂胜; 焦刚; 李肖; 薛舫时; 李...氮化镓宽禁带热分析红外显微镜
摘要：对SiC衬底AlGaN/GaNHEMT的结温进行了理论计算与实测。计算中考虑了衬底材料热导率随温度的变化以及器件源、漏电阻上的热损耗，不同耗散功率下的理论计算与红外显微镜实测结果比较表明，两者相差最大不超过10℃。由于理论计算结果是在解析解的基础上运用计算机迭代计算获得，所耗时间较短，故这一结果对于改善器件结构以提高AlGaN/GaNHEMT及其MMIC电路的性能将有较大帮助。
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《固体电子学研究与进展》（CN：32-1110/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《固体电子学研究与进展》刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEMS）、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件（OLED）和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。
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