作者：卢盛辉; 杜江锋; 靳翀; 周伟; 杨谟华高电子迁移率晶体管电流崩塌表面态阶跃脉冲
摘要：通过对AlGaN／GaN HEMT漏极电流栅阶跃脉冲响应实验测试，发现栅脉冲相同时，HEMT开启时间在线性区随VDS增加而增加，而在饱和区随VDS增加而减小；在VDS一定时，器件开启时间随栅脉冲低电平的降低而增加。基于表面态电子释放过程与ID、VDS和阶跃脉冲之间关系的分析，提出了用快电子与慢电子释放两种过程来解释表面态电子弛豫，并建立漏极电流响应过程拟合算式。拟合得到与快、慢电子释放相关的时间常数分别为r1=0．23S、r2=1．38s，且拟合曲线与实验结果的最大误差不超过测试值的3％。该研究结果有助于电流崩塌机理的进一步探索。
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