作者：杨荣; 李俊峰; 钱鹤螺旋电感品质因数硅铝刻蚀
摘要：提出了一种用于改善硅基螺旋电感品质因数的厚铝膜干法刻蚀技术；这种技术利用氧化硅和光刻胶双层复合掩模来掩蔽厚铝的干法刻蚀，完全兼容于CMOS工艺；应用于双层铝布线，实现了最大厚度达到6μm的顶层铝，显著地减小了螺旋电感的串联电阻，提高了品质因数；该技术同高阻SOI衬底技术相结合，制造的10nH螺旋电感的最大品质因数达到8．6。
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《固体电子学研究与进展》（CN：32-1110/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《固体电子学研究与进展》刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEMS）、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件（OLED）和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。
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