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首页 期刊 固体电子学研究与进展 聚焦离子束溅射刻蚀与增强刻蚀的性能研究【正文】

聚焦离子束溅射刻蚀与增强刻蚀的性能研究

作者:陆海纬; 陈忠浩; 王蓓; 宋云; 曾韡; 郑国...聚集离子束微分析溅射刻蚀增强刻蚀刻蚀束流

摘要:利用聚集离子束(FIB)对小线度下(≤3μm)的溅射刻蚀与增强刻蚀的性能进行了实验和分析。通过对硅和铝的刻蚀实验,研究在溅射刻蚀与增强刻蚀方法下刻蚀速率、蚀坑形貌与离子束流大小的关系。实验发现,铝和硅的刻蚀速率与刻蚀束流近似成线性关系;束流增大到一定程度后由于束斑变大及瞬时重淀积的作用.刻蚀速率曲线偏离线性。使用卤化物气体的增强刻蚀,硅和铝的刻蚀速率得到不同程度地提高。根据蚀坑形貌与束流大小的关系分析,发现瞬时重淀积是影响小线度刻蚀质量的主要因素。增强刻蚀大大减小了蚀坑的坑璧倾角,而坑底倾斜问题需综合考虑。

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固体电子学研究与进展

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