作者：李冰寒; 刘文超; 周健; 夏冠群异质结双极晶体管直流特性
摘要：设计并制备了三种不同集电结结构的AlGaInP/GaAs异质结双极晶体管,计算给出了三种集电结能带结构.通过对三种HBT的直流特性测试表明,NpN型HBT因异质集电结的导带尖峰出现电子阻挡效应;NpiN型HBT集电结引入i-GaAs层能有效克服电子阻挡效应,同时还具有拐点电压Vknee小、开启电压Voffset小、击穿电压BVCEO大等优点,但由于i-GaAs层引入增加了基区电子扩散长度,使器件电流增益有所下降.
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