作者：赵野; 孙伟锋; 易扬波; 鲍嘉明; 时龙兴spice模型高压集成电路非均匀沟道纵向双扩散金属氧化物半导体漂移区
摘要：基于高压VDMOS器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程组描述了器件特性与各参数之间的关系,建立了精确的高压六角型元胞VDMOS器件三维物理模型,并用数值方法求解.基于该物理模型提出的等效电路,在SPICE中准确地模拟了高压VDMOS的特性,包括准饱和特性和瞬态特性.在全电压范围内(0～100 V),直流特性与测试结果、瞬态特性(频率≤5 MHz)与MEDICI模拟结果相差均在5%以内,能够满足HVIC CAD设计的需要.
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《固体电子学研究与进展》（CN：32-1110/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《固体电子学研究与进展》刊登的主要内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEMS）、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件（OLED）和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。
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