作者：张慧; 张利春; 高玉芝; 金海岩肖特基二极管镍硅深槽
摘要：采用15 nm Ni/1.5 nm Pt/15 nm Ni/Si结构在600～850 °C范围内经RTP退火的方法形成Ni(Pt)Si薄膜,其薄膜电阻低且均匀一致.比形成较低电阻率的NiSi薄膜的温度提高了150 °C.在850 °C RTP退火后形成的Ni(Pt)Si/Si肖特基势垒二极管I-V特性很好,其势垒高度ΦB为0.71 eV,改善了肖特基二极管的稳定性.实验表明在肖特基二极管中引入深槽结构,可以大幅度地提高其反向击穿电压.在外延层浓度为5E15 cm -3时,深槽器件的击穿电压可以达到80 V,比保护环器件高约30 V.
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