作者：韩德栋; 康晋锋; 杨红; 韩汝琦高介电常数栅介质二氧化铪薄膜软击穿
摘要：研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9 nm的超薄MOS电容.当栅氧化层很薄时会发生软击穿现象,软击穿和通常的硬击穿是不同的现象.分别利用在栅介质上加恒流应力和恒压应力两种方法研究了HfO2薄膜的击穿特性,实验结果表明,在两种应力方式下HfO2栅介质均发生了软击穿现象,软击穿和硬击穿的机理不同.
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