作者：张龙; 朱健; 林立强; 卓敏南京电子器件研究所相对介电常数bst薄膜磁控溅射
摘要：南京电子器件研究所采用RF、磁控溅射法成功研制出室温下相对介电常数高于100的BST薄膜。采用具有自主知识产权的工艺技术制作了大直径BST溅射靶材，用这种靶材制作Pt／BST／Pt薄膜电容，在Si／SiOz衬底上溅射BST，其膜厚典型值280nm。该技术采用了在RF磁控溅射BST时同步加热衬底方法，使衬底温度维持在450～470℃，不再经过其他退火处理。
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