作者：李浩亮; 何乐年; 严晓浪能隙电压基准高精度互补金属氧化物半导体
摘要：在分析了几种基准电压源的基础上,设计并实现了一种高精度用于高速串行通信接口的CMOS能隙基准电压电路.电路采用了两级高增益运放的优化结构,基于TSMC公司的CMOS 0.25 μm混合信号模型的仿真结果表明电路输出电压在-50～70°C的温度内波动范围为0.057%.芯片流片测试结果发现基准电压电路在输入电压为2.5 V的条件下,工作在-50～70°C的温度范围内,输出电压变化范围为1.233 7～1.235 6 V,输出电压变化率为0.154%,与仿真结果之间的平均偏差为0.016%.能隙基准电压电路的版图面积为158 μm×164 μm.
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