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一种基于0.35μm CMOS工艺的14位100MSPS DAC设计

作者:朱樟明; 杨银堂; 柴常春; 殷和国; 张春朋...电流舵dac开关序列电流开关驱动器带隙基准源

摘要:基于TSMC 0.35 μm CMOS工艺设计了一种工作电压为3 V/5 V的14位100MSPS DAC.14位DAC在50Ω负载条件下满量程电流可达20 mA.当采样速率为100 MHz时,5 V电源的满量程条件下功耗为190mW,而3 V时的相应功耗为45 mW该DAC的积分非线性误差(INL)为±1.5 LSB,微分非线性误差(DNL)为±0.75LSB.在125MSPS,输出频率为10 MHz条件下的无杂波动态范围(SFDR)为72 dBc.

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固体电子学研究与进展

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