作者：彭龙新; 林金庭; 魏同立; 陈效建; 刘军霞...可变增益低噪声放大器微波单片集成电路gaasmmic高电子迁移率晶体管
摘要：报道了一种微波宽带GaAs单片可变增益低噪声放大器芯片.该芯片采用南京电子器件研究所φ76mm圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.工作频率范围为2～8 GHz,在零衰减时,整个带内增益大于25dB,噪声系数最大为3.5 dB,增益平坦度小于±0.75dB,输入驻波小于2.0,输出驻波小于2.5,输出功率大于10dBm.放大器增益可控大于30 dB.实验发现,芯片具有良好的温度特性.该芯片面积为3.6 mm×2.2 mm.
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