作者：周晓龙; 安娜; 孙聂枫; 徐永强; 杨光耀; ...磷化铟掺硫单晶材料位错密度原位磷注入合成法富磷熔体
摘要：采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟(InP)熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了φ100 mm InP掺硫单晶材料.对富磷单晶分别用快速扫描光荧光谱技术、腐蚀金相法和扫描电镜进行了研究.结果表明在富磷量足够大的情况下,晶片上会出现孔洞,并对孔洞周围位错的形成原因及分布进行了分析.φ100 mm InP单晶的平均位错密度也没有明显的增加,为今后生长更大尺寸的完整InP单晶奠定了良好的基础.
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