作者：朱孔军 王道利 邵斌 裘进浩 季宏丽两步烧结
摘要：用传统固相法制备（K0.48-xNa0.52）（Nb0.93-xSb0.07）O3-xLiTaO3体系无铅压电陶瓷，X射线衍射物相分析结果表明：该体系陶瓷正交一四方转变的准同型相界位于0．035〈x〈0．04，在室温具有较高的压电性能。用传统烧结方法很难得到致密的压电陶瓷，用两步烧结工艺可以得到致密化且晶粒尺寸均一的陶瓷，因此重点研究采用两步烧结技术对x=0．0375的陶瓷进行烧结工艺的改进和优化，研究微观组织结构与陶瓷压电性能之间的关系。最佳两步烧结工艺为：θ1=1120℃，t1=10min，05=1000℃，t2=5h。制备陶瓷的电学性能如下：压电常数d33=261pC／N，机械品质因数Qm=29，相对介电常数ετ=1659，平面机电耦合系数kp=0．47。
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