作者：肖华平 陈红兵 徐方 蒋成勇 杨培志闪烁晶体钨酸镉晶体生长坩埚下降法
摘要：以高纯CdO,WO3为初始原料,应用高温固相反应合成CdWO4多晶料。采用垂直坩埚下降法生长CdWO4单晶,生长单晶时炉体温度为1 350～1 400℃,固液界面温度梯度为30～40℃/cm,坩埚下降速率为0.5～1.5 mm/h。生长的透明的CdWO4单晶尺寸达φ40 mm×70 mm。用X射线衍射、透射光谱和X射线激发发射光谱等进行了单晶性能的表征。结果表明:CdWO4单晶具有良好的晶格完整性;单晶的吸收边位于325 nm左右,在380～900 nm区域的光透过率达70%左右。CdWO4单晶X射线激发发射光的峰值波长位于470 nm。
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