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电子辐照致VO2(B)薄膜结构与红外光谱改变

作者:孟庆凯 何捷 刘中华 张雷 宋婷婷 孙鹏电子辐照红外光谱缺陷效应退火效应

摘要:本文以能量为1.0MeV的电子束辐照VOAB)薄膜,对电子辐照在薄膜中产生的缺陷进行了理论计算,使用X射线衍射仪、傅立叶中红外光谱仪对薄膜进行测试,分析了电子辐照对薄膜结构与红外光谱(3400-400cm^-1)的影响。结果显示:电子辐照可以在薄膜中引入点缺陷并产生退火效应,电子辐照在薄膜中引入的点缺陷,可以使V-O=V受到破坏,退火可以使V—O=V振动得到恢复,而电子辐照对薄膜八面体角度弯曲振动影响不大。

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光散射学报

《光散射学报》(CN:51-1395/O4)是一本有较高学术价值的大型季刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《光散射学报》办刊宗旨:交流光散射、光物理、光化学、光生物等学科在理论、实验、实验技术和仪器方面的成果,以及它们在物理、化学、材料科学、生物学、地矿学、石油化工、医药学等方面的应用成果,为科学发展和技术进步提供讨论、交流场所,为促进国民经济的发展、实现四个现代化服务。

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