作者：李飙 常本康 徐源 杜晓晴 杜玉杰 付小倩 ...负电子亲和势氮化镓均匀掺杂梯度掺杂光电阴极场助量子效率
摘要：高温退火与Cs/O激活是形成负电子亲和势GaN光电阴极的外来诱因,GaN材料本身性能是影响阴极形成的内在因素。针对均匀掺杂和梯度掺杂GaN光电阴极在结构上的不同,结合阴极在激活过程中光电流的变化规律和激活后的量子产额,分析了均匀掺杂和梯度掺杂负电子亲和势GaN光电阴极性能的异同。实验表明,与均匀掺杂结构阴极相比,梯度掺杂结构阴极在激活过程中光电流增速较慢,激活时间相对较长,激活成功后量子效率较高。采用场助光电阴极发射模型可以很好地解释二者间存在的差异,梯度掺杂结构中内建电场的存在增加了电子向阴极表面的漂移运动,提高了电子到达阴极表面的几率。
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