作者：陈海丰 宿鹏浩 朱益民发射光谱高能电子n2第二正态谱峰电离区电子雪崩
摘要：利用光学发射光谱（OES）法检测N2发射光谱,研究常压下多针双极电晕放电中高能电子分布。根据N2第二正态激发谱峰ISPB在空间的分布,较精确地确定其电离区形貌,体积分ISPB获知ISPB与放电电流I之间的关系。多针双极电晕放电在高压电极和地电极附近各有一个电离区,各电离区的范围都随电压U的升高而不同程度增大。其中负电晕电离区范围大于正电晕电离区,高压端电子雪崩沿针尖轴向比沿径向发展范围大。正负电晕电离区中ISPB体积分值均与I近似呈一阶线性关系,即ISPB的分布和高能电子浓度相对应。电离区中形成电流的带电粒子为高能电子,迁移区中形成电流的带电粒子为离子。
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