作者：宿鹏浩; 朱益民; 陈海丰发射光谱电晕放电电离区电子雪崩高能电子n2第二正态谱峰
摘要：在前期对常压下多针对板负电晕放电伏安特性研究的基础上，利用光学发射光谱（OES）法检测放电产生的N2发射光谱，研究其电离区形貌。根据N2发射光谱中峰值最大的第二正态激发谱峰强度ISPB在高压针电极周围的空间分布，较精确地确定了电离区形貌；在电离区内体积分ISPB，获知ISPB与放电电流I之间的关系。实验结果表明，电离区大小随着外加电压U升高而增大；电子雪崩始于距离针尖半径约1mm处的球面上，并且只在mm量级范围内发展，即电离区的大小为mm量级；电子雪崩沿针尖轴向比沿径向发展范围大，电离区形貌为“子弹”状；ISPB的积分值与I成二次相系数很小的二阶线性关系，故放电中受激物质主要是N2；高能电子主要存在于电离区，迁移区中形成电流的带电粒子为离子。
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