作者：陈辰嘉; 王学忠; Bellani; V; Stella; A荧光谱超晶格稀磁半导体光学声子激子跃迁
摘要：报道用分子束外延（MBE）技术生长的x=0．4，0．8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe／CdTe超晶格低温和室温荧光谱研究结果。基态激子跃迁能级荧光谱实验结果显示高组分超晶格中具有高量子效率和高质量光发射。对激子能级随温度的变化进行了详细研究，给出激子跃迁能量的温度系数。激子能级线型的展宽随温度变化关系可用激子-纵向光学声子耦合模型解释。与光调制反射谱实验结果进行了比较。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
