作者：孙家跃; 夏志国; 杜海燕光谱发光氯硅酸盐基质晶格杂质束缚激子
摘要：采用高温固相法合成Sr4-xCaxSi3O8Cl4:Eu2+荧光材料,利用Van Uitert公式讨论Sr4-xCaxSi3O8Cl4:Eu2+中yEu2+的晶格环境和发光特性,确定晶体中有蓝色和黄绿色两种发光中心,并讨论了它们与光谱结构的对应关系.当0＜x＜0.5,Ca2+固溶入Sr4Si3O8Cl4基质晶格,Eu2+占据八配位Sr2+格位,晶体主要产生蓝色中心的蓝绿色发射;当0.5＜x＜2,较大的Ca2+掺杂使晶胞参数变小,晶格中的杂质束缚激子态的束缚增强,Eu2+处于杂质束缚激子中心所形成的激发态能量进一步降低,发射位于长波段方向并具有较大的Stokes位移,Sr4-xCaxSi3O8Cl4:yEu2+主要产生黄绿色中心的黄绿色发射光.
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
