SiO2厚度对类阴极射线发光中电子加速的影响

作者：刘姗姗; 滕枫; 徐征; 刘明; 孙世菊; 徐叙...二氧化硅厚度类阴极射线发光电子加速异质结有机发光器件

摘要：研究了有机/无机复合结构ITO/SiO2/MEH-PPV/SiO2/Al器件的类阴极射线发光性质,电子经过SiO2层加速后,激发MEH-PPV层发光.发光除了MEH-PPV激子发光峰外,还有一个带间复合的能量更高的短波发光峰.通过2个发光峰随SiO2层的厚度的变化规律,研究了SiO2对电子的加速能力.

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