作者：佟拉嘎 荣华 林世静 任明慧取代聚噻吩密度泛函方法电子性能
摘要：报道了3种取代聚噻吩，3-己基聚噻吩（P3HT）、3，4-二戊基聚噻吩（P34PT）、3-辛氧基聚噻吩（P3OOT）的合成方法、^1 H—NMR测试结果及UV—Vis吸收光谱和荧光光谱分析结果。用密度泛函方法计算了无取代噻吩、3-乙基噻吩、3，4-二乙基噻吩、3-乙氧基噻吩二聚体的电子性能。随聚合度的提高，聚合物能隙变窄。无取代噻吩二聚体的能隙为4．216eV，重复单元长度为0．3927nm；乙基取代噻吩二聚体的能隙为4．733eV，重复单元长度为0．3939nm；乙氧基取代噻吩二聚体的能隙为3．890eV，重复单元长度为0．3908nm；双乙基取代噻吩二聚体的能隙为5．168eV，重复单元长度为0．3925nm。理论变化规律与实验结果基本一致。
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