作者：李霞; 姚建可; 邓伟; 肖祥; 贺鑫; 张盛东反应磁控溅射hfo2薄膜工艺性能
摘要：我们采用反应磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上制备了Hf O2薄膜。我们对制备的工艺进行了摸索。设计了不同的实验条件。分别在不同的工艺条件下制备得到Hf O2薄膜。在不同氧分压条件下制备了一组Hf O2薄膜,在不同的溅射功率条件下制备了一组Hf O2薄膜,在不同的溅射时间条件下制备了一组Hf O2薄膜,不同的衬底温度下制备了一组Hf O2薄膜。最后,将不同条件下制备的Hf O2薄膜在不同温度下退火,并对这些样品进行了性能的测试和表征。根据测试结果分析了其性能,制备的Hf O2薄膜是高质量的。
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