作者：麻华丽; 付林杰; 曾凡光; 夏连胜; 谌怡; ...碳纳米管薄膜强流脉冲发射阴阳极间距阻抗
摘要：采用酞菁铁高温裂解法在镀有镍金缓冲层的硅基底上生长了碳纳米管薄膜(CNTs),并采用二极结构在单脉冲模式下研究了其强流脉冲发射特性。结果表明:在脉冲电场峰值相同的条件下(~12.1V/μm),阴阳极间距越小,冷阴极的发射电流越大,且冷阴极的开启场强越小;当阴阳极间距为14cm时,CNTs薄膜的强流脉冲发射电流峰值为312A(电流密度为15.9A/cm~2),对应的开启场强为4.3 V/μm;当阴阳极间距为12.8cm时,CNTs薄膜的强流脉冲发射电流峰值为747.2A(电流密度为38.OA/cm~2),对应的开启场强为4.0 V/μm。
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