作者：薛忠营 张波 魏星 张苗外延应变锗硅sgoi
摘要：采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,外延的SiGe薄膜具有完好的晶格结构,平整的表面质量,SiGe薄膜处于完全应变状态。通过与Si上外延渐变缓冲层制备的SiGe材料比较发现,使用这种超薄的全应变SiGe叠层材料来制备SGOI,可以大大缩短制备周期,降低制备成本。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
《功能材料与器件学报》（CN：31-1708/TB）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《功能材料与器件学报》专业技术性刊物。反映功能材料与器件领域中的科研成果和应用技术进展，刊登论文、简报、综述和消息。
省级期刊
人气 238649 评论 36
人气 154246 评论 33
人气 151922 评论 53
北大期刊、CSCD期刊、统计源期刊
人气 123820 评论 68
