作者：王贵; 王立坤; 蔡文豪; 杨静凯; 赵洪力二氧化锡nb掺杂杂化泛函电子特性光学性能
摘要：使用第一性原理杂化泛函HSE06的方法对Nb掺杂SnO2(NTO)的电子特性和光学性能进行了研究。计算得出NTO具有较小的结构畸变。本征SnO2的直接带隙为3.80 eV,Nb掺杂使SnO2的直接带隙减小,但大于3.33 eV。受Nb 4d轨道的影响,导带底的电子有效质量先减小后增加,并且导带向价带方向移动增加了电子亲和力。对其光学性能进行研究得出Nb掺杂扩宽了SnO2的光学带隙,使红外光区的反射率增加。
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