作者：常姗姗; 李伟; 马亚强; 王小龙; 戴宪起单层snse掺杂磁性电场
摘要：采用基于第一性原理的密度泛函理论对过渡金属Ti和Zn掺杂单层SnSe的磁性进行研究。计算表明，Ti比Zn更易在单层SnSe体系中掺杂，Ti掺杂体系具有磁性，体系的费米能级向导带移动，而Zn掺杂单层SnSe体系不具有磁性。加外电场使得Ti和Zn在单层SnSe中掺杂变难，外电场会引起Ti掺杂单层SnSe体系的电荷重新分布。在-4～4V／nm范围内，外电场对Ti和Zn掺杂SnSe体系的磁性影响很小。
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