作者：赵宇培; 朱玉俊; 卢运祥异质结第一性原理
摘要：运用第一性原理方法计算了两种新型的g—C3N4的异质结g—C3N4／TiO2和g—C3N4／MoS2，其带隙分别为1．281和0．344eV，两者的带隙相比单层g—C3N4有所减小。两者的VBM主要由N2p电子构成，CBM主要由Ti或Mo3d电子构成，并且两者的HOMO和LUMO都出现了层分离，使得电子空穴复合速度下降，提高了光催化效率。
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