作者：刘阳 马骥 唐斌 蒋美萍 苏江滨 周磊弥散复合薄膜磁控溅射衬底偏压电阻率禁带宽度
摘要：采用平衡直流磁控溅射技术,通过改变衬底偏压在玻璃衬底上制备了Cu/Cu2O 弥散复合薄膜,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计等进行表征与分析.研究发现,Cu/Cu2O 弥散复合薄膜表现出金属和半导体双特性,其电阻率范围为（5.23-9.98）×10^-5 Ω·cm,禁带宽度范围为2.23-2.47eV.同时,研究还发现衬底偏压对Cu/Cu2O 弥散复合薄膜的形貌、结构、电学和光学性能都产生了较大的影响,特别是当衬底偏压为-100V时薄膜样品的表面最为致密,结晶程度最好,电阻率最低,禁带宽度最窄.进一步地,对平衡磁控溅射过程的偏压效应进行了分析,并提出了两种区别于传统轰击和再溅射作用的新机制.
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