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磁控溅射Y薄膜对钆中N、O含量的影响

作者:李里 李国玲 韩丽辉 李星国磁控溅射y

摘要:在钆表面磁控溅射Y薄膜后真空退火,使Gd基体中的N、O等间隙杂质扩散到Y薄膜中进而去除基体金属中N、O等气体杂质。该方法对去除间隙杂质效果明显,钆中N、O浓度显著降低,钆中O、N浓度分别由1.87×10^-4和9.7×10^-5降为5.5×10^-5,3.3×10^-5。具体除杂量与其初始浓度和退火温度及时间有关,所得高纯钆用氧氮分析仪测量O含量,并对实验过程及结果进行讨论。

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功能材料

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