作者：姜斌; 齐增亮; 耿永涛; 蒋书文; 李言荣铁电薄膜快速晶化pbtio3
摘要：对sol-gel法制备的PbTiO3薄膜采用不同晶化工艺进行晶化，研究了晶化温度和基片对薄膜晶化的影响。研究表明，采用快速晶化工艺时，在550-750℃的较宽温度范围内，薄膜能够结晶形成稳定钙铁矿相结构，在LaAlO3基片上能获得结晶良好、具有（001）择优取向的PbTiO3薄膜。与常规晶化相比，快速晶化处理的薄膜结晶质量好，晶粒较小、分布均匀致密。
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