作者：孟凡明tio2压敏陶瓷压敏电压非线性系数半导化势垒高度
摘要：基于一次烧结工艺,采用埋烧和裸烧两种方法制备组分相同(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2陶瓷.通过复阻抗特性、晶粒电阻、晶界电阻、压敏电压、非线性系数及势垒高度的测定,研究埋烧与裸烧工艺对TiO2陶瓷的半导化以及电学非线性特性的影响.结果表明,采取粉料埋烧有利于晶粒半导化,降低压敏电压.
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