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BaTiO3/SrTiO3多层膜的制备及其介电性质

作者:葛水兵; 宁兆元多层膜介电性质脉冲激光沉积

摘要:采用脉冲激光沉积法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了BaTiO3/SrTiO3 (BTO/STO)多层膜.XRD结果表明:多层膜呈现出明显的(110)择优取向,与Ba0.5Sr0.5TiO3单层膜相比,多层膜的相对介电常数得到了明显的增强,而介电损耗仍然保持在较低的水平.室温下频率为10kHz时,BTO/STO(n=6)多层膜的相对介电常数为506,而介电损耗仅为0.033.薄膜的C-V特性研究表明:多层膜呈现出较好的电容调谐度.

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功能材料

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