作者：莫春兰; 方文卿; 刘和初; 周毛兴; 江风益ingan多量子阱led材料生长低压金属有机化学气相沉积硅衬底研制反向漏电流晶格失配si衬底外延材料工作电压发光波长外延片缓冲层ied热失配ain管芯
摘要：利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN 多量子阱LED外延片.为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配,引入了AlN低温缓冲层及富镓的GaN高温缓冲层,在Si(111)衬底上获得了无龟裂的InGaN 多量子阱LED外延材料.在两英寸外延片内LED管芯的工作电压在3.7～4.1V之间,电致发光波长在465～480nm之间,87%的LED管芯的反向漏电流不大于0.1μA,输出光强为18～30mcd.
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