作者：许彦亭; 王一晴; 陈家林; 郭俊梅; 闻明; ...纯铂溅射靶材冷轧退火择优取向晶粒尺寸
摘要：靶材微观组织均匀性直接影响半导体集成电路溅射薄膜质量。采用金相显微镜、X射线衍射(XRD)和显微硬度计,研究了纯铂单向冷轧及热处理过程中的微观结构演变及力学性能。结果表明,纯铂单向冷轧时随变形量的增加晶粒沿轧向拉长,显微硬度逐渐上升;单向冷轧变形量为80%的纯铂在450℃退火发生再结晶,产生的细小等轴晶平均晶粒尺寸约为41 μm;随着退火温度升高,晶粒尺寸增大,显微硬度降低,纯铂由冷轧态(111)、(220)晶面择优取向过渡为(200)、(311)、(220)晶面择优取向。
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