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低温制备的双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管

作者:李慧津; 董俊辰; 郁文; 韩德栋; 张盛东; ...三氧化二铝二氧化硅铟镓锌氧双层栅介质薄膜晶体管低温

摘要:在低温下制备了三氧化二铝/二氧化硅双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管。原子力显微镜图显示双层栅介质薄膜具有良好的均一性。经过200℃真空退火处理,双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管表现出良好的转移特性和输出特性,器件的亚阈值摆幅SS为177 mV/dec,电流开关比为1.9×10^8。低温下制备的双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管有希望应用于柔性电子。

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光电子技术

《光电子技术》(CN:32-1347/TN)是一本有较高学术价值的大型季刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《光电子技术》内容涵盖了平板显示、光纤通信、红外(紫外)摄像、电真空器件、薄膜、激光技术、自动化、计算机及各种测试技术等涉及光电转换的新工艺、新材料、新设备、新产品以及相关的器件、整机、生产线的应用。在广大专家学者、院校师生和相关厂所工程技术人员的关心和支持下,发行范围遍及全国、覆盖了整个光电行业及省会图书馆及大部分高等院校。

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