作者：张熬; 陈鹏; 周婧; 李一萌; 杨云飞; 冒小...带隙温度依赖varshni模型能带收缩声子色散声子特性热导率迁移率
摘要：半导体禁带宽度Eg与温度的依赖关系Eg(T)是一个基础的理论课题,对材料特性的认识具有极其重要的意义。目前,对不同半导体材料的Eg(T)研究存在多种半经验的理论模型,尚未形成定论,所以该课题仍然是一个基础研究的热点。文章梳理了近几十年来Eg(T)分析模型的发展历程,分析了Varshni模型以及基于晶格振动和电子声子作用发展出的四个半经验模型的优缺点,提出了新的问题,对Eg(T)研究的进一步发展以及基于声子特性改善光电子器件性能具有指导意义。
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