作者：邓婉玲 黄君凯多晶硅薄膜晶体管二维器件仿真陷阱态密度
摘要：二维器件仿真是揭示半导体器件物理机理的有效途径。首先利用二维器件仿真工具构建单栅和双栅多晶硅薄膜晶体管（TFT），并完整地考虑晶界陷阱态的分布规律，即指数分布的带尾态和禁带中央高斯分布的深能态。同时，改变晶界陷阱密度、多晶硅薄膜厚度、温度等条件，以及考虑翘曲（kink）效应，仿真单栅和双栅器件的电流-电压（I-V）特性，分析物理规律，建立对多晶硅TFT器件物理特性的进一步理解。
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