作者：杨明军; 钱雅翠; 余睿; 尹洋; 牛连斌; 关...有机电致发光空穴注入层偏置电压发光亮度
摘要：为了得到高亮度且低启亮的OLED器件,本文将价格低廉的氧化钼(MoO3)作为器件的空穴注入层,通过真空热蒸发法制备了结构为ITO/MoO3(:y nm)/NPB(60 nm)/Alq3(80 nm)/CsCl(0.5 nm)/Al(120 nm)的有机电致发光器件。通过比较(:y=1,3,5,7 nm)四种厚度MoO3薄膜制作的器件性能,分析器件的J-V和L-V等数据发现,当Mo03薄膜的厚度为5 nm时,器件启亮电压仅为2.5 V;当器件电压为9.25 V时,得到最大亮度43580 cd/m^2。当电流密度为647.92 mA/cm^2时,器件最大电流效率6.73 cd/A。器件的亮度和启亮电压性能同时达到最佳。相比于普通的标准器件,发光亮度和电流效率分别提高了4倍和3.3倍。分析可知,MoO3作为器件的空穴注入层,降低了器件阳极和空穴传输层之间的势垒高度,器件发光层产生了更多的电子-空穴对,使得器件的性能得到了提高,也为降低OLED生产成本开辟了一条新途径。
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