作者：高玉竹 龚秀英 李继军 吴广会 冯彦斌 Tak...inassb非制冷型光子探测器光谱响应探测率
摘要：研究提高非制冷型铟砷锑（InAsSb）光子探测器在8~9μm波长的灵敏度。用熔体外延（ME）技术在砷化铟（InAs）衬底上生长了长波长InAsSb厚外延膜,外延层厚达到50μm。X-射线衍射（XRD）谱测量表明,外延层为高质量单晶。电子探针微分析（EPMA）组份分布图像显示,Sb在外延层中的分布比较均匀。用该材料制作了光导探测器,在探测器上安装了锗（Ge）浸没透镜。非制冷条件下,器件的光谱响应证明,InAs0.06Sb0.94探测器在波长8.0μm及9.0μm处的探测率D＊分别为1.30×109 cm·Hz1/2·W-1及0.28×109 cm·Hz1/2·W-1,比InAs0.02Sb0.98探测器提高了1个数量级,这是由于InAs0.06Sb0.94材料中As组份的增加引起的。而在波长6.5μm处,InAs0.06Sb0.94和InAs0.02Sb0.98的峰值探测率D＊λp均达大于1.00×109 cm·Hz1/2·W-1,可应用在红外探测和成像领域。
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