作者：胡小英 刘卫国阱宽光谱响应
摘要：采用金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）生长了两种不同结构参数的GaAs／Al0．3Ga0．7As红外量子阱材料，利用傅里叶光谱仪，分别对阱宽为4．5与5．0nm的样品进行77K液氮温度下光谱响应测试及室温光致发光（PL）光谱测试，样品的峰值响应波长分别为8．39、7．69μm，与根据薛定谔方程计算得到的峰值波长8．92、8．05μm的误差分别为6．36％、4．70％。对吸收峰向高能方向发生漂移的现象进行了分析讨论，认为势阱变窄时阱中的应力作用较强是导致峰值波长红移的原因，而与GaAs阱中进行适度Si掺杂无关。PL实验结果与理论计算相符合，表明增加阱宽是量子阱带问跃迁能量升高的原因。据此可实现对量子阱能级的微调，从而满足对不同波长探测的需要。
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